| الكمية: | |
|---|---|
TN
نقدم لكم أهداف الرش من كربيد السيليكون (SiC)، وهي مثال للتميز في مجال ترسيب الأغشية الرقيقة.مع التركيز القوي على الدقة والجودة، توفر أهداف الرش الخاصة بنا أداءً استثنائيًا، مما يجعلها الخيار المفضل لمختلف التطبيقات في صناعة أشباه الموصلات.
تم تصميم أهداف رش SiC الخاصة بنا بأقصى قدر من الاحترافية لتلبية المتطلبات الصارمة لتكنولوجيا الأغشية الرقيقة الحديثة.تعمل هذه الأهداف كمصدر مثالي لترسيب أفلام كربيد السيليكون من خلال عملية الاخرق.تضمن تقنيات التصنيع المتقدمة لدينا أقصى درجات النقاء والتوحيد للمواد، مما يؤدي إلى جودة فائقة للفيلم وتحسين أداء الجهاز.
بالإضافة إلى أهداف رش SiC، فإننا نقدم أيضًا مجموعة شاملة من مصادر التبخر ومواد الترسيب الأخرى.تم تصميم هذه المنتجات بدقة لتوفير نتائج موثوقة ومتسقة، مما يمكّن الباحثين والمصنعين من تحقيق ترسيب دقيق للأغشية الرقيقة في تطبيقات متنوعة.
مع التزامنا بالتميز ورضا العملاء، فإننا نسعى جاهدين لتقديم منتجات تتجاوز التوقعات.تحظى أهداف رش SiC ومصادر التبخر ومواد الترسيب الخاصة بنا بثقة المؤسسات البحثية الرائدة والشركاء الصناعيين في جميع أنحاء العالم.بدعم من فريق الخبراء لدينا والمرافق الحديثة، نضمن أن منتجاتنا تلبي دائمًا أعلى معايير الجودة والأداء.
اختر أهداف الرش من كربيد السيليكون (SiC) ومصادر التبخر ومواد الترسيب لتلبية احتياجاتك الخاصة بترسيب الأغشية الرقيقة، واستمتع بتجربة الدقة والموثوقية التي لا مثيل لها التي توفرها منتجاتنا.ارفع مستوى عمليات البحث والتصنيع الخاصة بك من خلال حلولنا الاحترافية، مما يضع معايير جديدة في عالم تكنولوجيا الأغشية الرقيقة.
مواصفات ثاني أكسيد السيليكون (الكوارتز المنصهر) (SiO2).
نوع المادة | أكسيد السيليكون (الرابع). |
رمز | SiO2 |
اللون/المظهر | أبيض، صلب بلوري |
نقطة الانصهار (درجة مئوية) | 1,610 |
الكثافة النظرية (جم/سم مكعب) | ~2.65 |
نسبة Z | **1.00 |
تفل | الترددات اللاسلكية |
أقصى كثافة للطاقة (واط/بوصة مربعة) | 30* |
نوع السند | الإنديوم، المطاط الصناعي |
تعليقات | الكوارتز ممتاز في الشعاع الإلكتروني. |
نقدم لكم أهداف الرش من كربيد السيليكون (SiC)، وهي مثال للتميز في مجال ترسيب الأغشية الرقيقة.مع التركيز القوي على الدقة والجودة، توفر أهداف الرش الخاصة بنا أداءً استثنائيًا، مما يجعلها الخيار المفضل لمختلف التطبيقات في صناعة أشباه الموصلات.
تم تصميم أهداف رش SiC الخاصة بنا بأقصى قدر من الاحترافية لتلبية المتطلبات الصارمة لتكنولوجيا الأغشية الرقيقة الحديثة.تعمل هذه الأهداف كمصدر مثالي لترسيب أفلام كربيد السيليكون من خلال عملية الاخرق.تضمن تقنيات التصنيع المتقدمة لدينا أقصى درجات النقاء والتوحيد للمواد، مما يؤدي إلى جودة فائقة للفيلم وتحسين أداء الجهاز.
بالإضافة إلى أهداف رش SiC، فإننا نقدم أيضًا مجموعة شاملة من مصادر التبخر ومواد الترسيب الأخرى.تم تصميم هذه المنتجات بدقة لتوفير نتائج موثوقة ومتسقة، مما يمكّن الباحثين والمصنعين من تحقيق ترسيب دقيق للأغشية الرقيقة في تطبيقات متنوعة.
مع التزامنا بالتميز ورضا العملاء، فإننا نسعى جاهدين لتقديم منتجات تتجاوز التوقعات.تحظى أهداف رش SiC ومصادر التبخر ومواد الترسيب الخاصة بنا بثقة المؤسسات البحثية الرائدة والشركاء الصناعيين في جميع أنحاء العالم.بدعم من فريق الخبراء لدينا والمرافق الحديثة، نضمن أن منتجاتنا تلبي دائمًا أعلى معايير الجودة والأداء.
اختر أهداف الرش من كربيد السيليكون (SiC) ومصادر التبخر ومواد الترسيب لتلبية احتياجاتك الخاصة بترسيب الأغشية الرقيقة، واستمتع بتجربة الدقة والموثوقية التي لا مثيل لها التي توفرها منتجاتنا.ارفع مستوى عمليات البحث والتصنيع الخاصة بك من خلال حلولنا الاحترافية، مما يضع معايير جديدة في عالم تكنولوجيا الأغشية الرقيقة.
مواصفات ثاني أكسيد السيليكون (الكوارتز المنصهر) (SiO2).
نوع المادة | أكسيد السيليكون (الرابع). |
رمز | SiO2 |
اللون/المظهر | أبيض، صلب بلوري |
نقطة الانصهار (درجة مئوية) | 1,610 |
الكثافة النظرية (جم/سم مكعب) | ~2.65 |
نسبة Z | **1.00 |
تفل | الترددات اللاسلكية |
أقصى كثافة للطاقة (واط/بوصة مربعة) | 30* |
نوع السند | الإنديوم، المطاط الصناعي |
تعليقات | الكوارتز ممتاز في الشعاع الإلكتروني. |
